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光纖及應用
點擊次數:2407 更新時間:2023-01-31


光纖及應用

1.       概述及應用

自從1960年梅曼實現第一束激光以來,激光作為一種特殊的電磁波已經伴隨著人類走過了62個年頭,成為與現代生產生活密不可分的角色。不同頻率(波長)的電磁波,由于其特性不同,在不同的領域發揮著重要的作用,比如無線電傳輸,毫米波,醫用X射線等。隨著光纖激光技術的成熟與發展,越來越多種類的光源的應用也被人們發掘出來,比如1um波段用于焊接切割等工業制造,紫外波段用于晶圓加工,可見光藍綠波段用于動力電池加工等。2um-5um光纖激光也有自己的應用:該波段覆蓋了幾段大氣窗口,使其可用于激光、大氣通信、激光測距、超高分辨率天文光譜儀標定和光電探測等[1];波段包含被稱為“分子指紋"的特征譜線,可被用于高速、高分辨率、高光譜靈敏度、高信噪比的光譜測量[2];水分子在3um附近有很強的吸收峰, 使其可用于很多醫療操作;位于分子共價鍵的吸收譜段,使其可用于分子含量的檢測和分子類型的鑒定,實現分子的成像等。

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不同波段電磁波的應用

2.       光纖材料

目前光纖使用的材料主要有硅酸鹽玻璃、氟化物玻璃和硫系玻璃,不同玻璃具有不同的理化參數,成纖之后在色散特性、傳輸損耗特性、非線性特性以及熱特性等方面也有明顯不同

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氟化物光纖              硫化物光纖                     鹵化物光纖

 

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大模場空芯光纖

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不同材料光纖的物理參數[3]

相對于硅酸鹽,氟化物玻璃材料的最大聲子能量500cm-1左右, 硫系玻璃材料的最大聲子能量為200cm-1, 理論上在波段可以得到更低的傳輸損耗。

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不同材料光纖的發射波長和傳輸損耗

氟化物光纖被用于2-3um光輸出,硫化物光纖被用于3-6.5um光輸出,比6.5um更長波長可以用鹵化物光纖輸出。氟化物光纖主要是以氟化鋁(AlF3 )、ZBLAN(53%ZrF4-20%BaF2-4%LaF3-3%AlF3-20%NaF) 或氟化銦(InF3 ) 等為基質材料的氟化物多組分玻璃光纖。其中ZBLAN是目前比較常用的光纖,可以實現稀土摻雜,對于其與硅基光纖的熔接工藝也相對比較成熟,商用光纖熔接機即可,InF和AlF光纖可用作光纖器件(比如合束器)和光纖端帽的制作。但是易潮解是氟化物光纖主要的缺點。商用的硫化物光纖以As2S3、As2Se3為代表,一般用于光傳輸,可制作成大芯徑或高非線性的光纖跳線,但是受限于摻雜工藝只以無源形式存在。鹵化物光纖可傳輸波長更長,但易氧化較脆弱使其也只能以無源跳線形式存在,不同材料光纖各有利弊。

 

按著實現激光的實現方式,可以把光纖分為有源和無源兩個方面,主要包括基于摻雜稀土的激光,如摻Er3+、Dy3+的ZBLAN光纖激光;基于非線性效應的激光,如拉曼激光、超連續譜激光;基于特殊結構的空芯光纖,配合充斥不同氣體實現不同波長的激光。隨著光纖激光技術的發展,更多的商用光纖獲得應用,相應的光纖處理設備及工藝也隨之普及起來。

3.       有源光纖

(1)摻Tm硅基光纖。2um光纖激光器,無論是超快還是高功率連續激光,已經非常普遍,組成單諧振腔的光纖光柵、作為MOPA結構的各放大級增益光纖,都有標準的貨架產品。同時,2um光源還可以作為產生超連續譜和OPO參量放大的泵浦源。

2018年,Jena大學利用250fs,80MHz的種子源,通過多級不同芯徑摻Tm光纖(10/125um,TDF;50/250um Tm:PCF)實現功率放大(TDFA),又將脈沖壓縮,實現了平均功率1150W,峰值功率50MHz,脈沖寬度256fs的2um輸出,這也是目前功率最高的2um超短脈沖[12]

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2014年Liu等利用2um皮秒光纖MOPA系統泵浦ZBLAN光纖,當2um皮秒泵浦功率達到最大值42W時, 超連續譜激光的最大輸出功率為21.8W, 光譜如圖所示, 光譜覆蓋范圍為1.9um-3.8um[4]

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(2)摻稀土離子的氟化物光纖。利用Er3+、Dy3+、Ho3+離子摻雜的ZBLAN光纖實現2.8um-3.5um單獨波長輸出。

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稀土摻雜離子能級躍遷圖[5-6]

微信截圖_20230118173358稀土摻雜離子氟化物光纖

2018年加拿大拉瓦爾大學利用Er3+ZrF光纖在2.8um波段實現了41.6W連續光輸出[7],這是目前光纖激光輸出的最高功率。同年Dy3+的氟化物光纖內實現了光纖激光器的一體化設計, 將一對光纖布拉格光柵直接刻寫在摻 Dy3 +的氟化物光纖上實現了諧振腔結構。同時, 采用全光纖的摻 Er3 + 光纖激光器作為泵浦源, 實現了全光纖結構3.24um激光輸出, 輸出功率為10 W, 相對2.83um泵浦光的斜率效率為58% ,10 W 輸出功率也是輸出波長3um以上的光纖激光器的最高輸出功率[8]

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2021年, 深圳大學郭春雨等[9] 報道了功率為20W的全光纖結構的2.8um激光輸出。所用的摻Er3+:ZrF4光纖直徑為15um,數值孔徑NA約為0.12,總長度為6.5m,吸收系數2-3dB/m@976nm,高反光柵(99%HR-FBG)和低反光柵(10%OC-FBG)直接刻寫在增益光纖上,中心波長2825nm,與Er纖形成諧振腔。如圖所示,硅基與ZBLAN光纖,以及端帽與無源纖的熔接工藝為報道者團隊自主研發,制作了包層光濾除器和AlF3光纖端帽。當泵浦功率140W,輸出功率20.3W@2.8um,光光轉換效率14.5%。

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全光纖2.8um單模激光器系統[9]

4.       無源光纖

(1)超連續譜。帶有一定峰值功率的脈沖光,進入非線性晶體或者光纖時,由于調制不穩定性(MI)、自相為調制(SPM)、交叉相位調制(XPM)、受激拉曼散射(SRS)、四波混頻(FWM)、拉曼孤子自頻移(Raman SSFS)等非線性效應,激光光譜得到展寬形成超連續譜,由于介質的色散特性、 泵浦光( 入射介質的激) 的脈沖寬度、 泵浦光波長所處的色散區域以及距離零色散波長(ZDW) 的遠近不同, 在超連續譜產生過程中起主導作用的非線性效應也不同。一般地以2um或者更長波長的脈沖光,泵浦帶有一定非線性系數的氟化物、硫化物或者碲化物等光纖,實現覆蓋波段的超連續譜。

全光纖結構的超連續譜,比較關鍵的技術之一是硅基光纖與氟化物光纖的非對稱熔接工藝,目前可以通過工業用的光纖熔接設備,在優化了熔接參數后實現損耗0.03dB,達到模場匹配的要求。

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(a)全光纖超連續譜激光結構 (b) 石英與ZBLAN光纖熔接 (c)石英與ZBLAN光纖端面

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2016年,某科大利用此熔接技術,以16.3W的皮秒激光泵浦ZBLAN光纖,實現了10.67W的超連續譜輸出[10]。2020年課題組設計了ZBLAN光纖參數,實現了更低的石英光纖與氟化物光纖損耗,以及更加平坦的超連續譜1.92um-4.29um,平均功率20.6W[11],如圖所示。

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利用非線性ZBLAN光纖實現高功率、高平坦度超連續譜,對泵浦源的波長、峰值功率以及石英與氟化物光纖的模場匹配提出了更高的要求。

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氟化物光纖產生超連續譜參數[14]

相比于ZBLAN光纖,InF3光纖在更長波段有更高的透過率,因此被用于超連續譜長波長拓展的選擇,這也與其零色散點波長相關ZDW。2020年,某科大利用1.9um-2.6um超連續譜作為泵浦源,在InF3光纖中獲得1.9um-4.9um,平均功率11.8W的超連續譜輸出,其中3.8um以上波段成分2.18W,占比18.5%[13-14]

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(2)刻柵。光纖光柵對于光纖激光器,在諧振腔、濾波、色散啁啾等方面有著非常重要的應用。隨著軟玻璃光纖和刻柵工藝的發展,光柵的刻寫逐漸成熟。由于氟化物光纖不具備光敏性,不能采用傳統的紫外曝光法刻寫,所以飛秒直寫的選擇備受青睞,一般包括相位掩模版法、逐點法、逐線法、逐面法。

2018年,拉瓦爾大學在雙包層摻Er3+:ZBLAN光纖中利用飛秒激光相位掩膜版法刻寫了中心波長3552 nm的光纖光柵對[7],其中高反光柵和低反光柵的反射率分別為90%和30%。2020年,麥考瑞大學在InF3光纖中刻寫了中心波長為4 μm、反射率大于95%的FBG,其刻柵周期為2.07 μm,這一工作對推動4 μm高功率全光纖化激光器具有重要意義[8,9]。

2022年深圳大學采用飛秒逐線直寫法,裝置如圖所示,利用氟化物光纖制備了窄線寬、高反射率的光纖光柵,中心波長2964.34nm,3dB帶寬1.24nm,反射率99.27%,并且運用此光柵完成了20W,2.8um光纖激光器。實驗當中使用了14/250um的ZBLAN光纖,光源為513nm,150nJ的飛秒激光器,刻線掃描速度100um/s,刻線長度50um,周期間隔1.994um。如圖為制備后的光纖端面[15]

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(3)其他器件

石英光纖與氟化物、硫化物等材料的光纖切割、熔接、拉錐等處理工藝,是全光纖結構激光的關鍵技術之一,由于熔點、硬度等物理特性的不同,很多對于石英光纖的處理經驗無法直接借鑒,需要用到具有復合功能的光纖處理設備,通過多個參數的調節與優化,達到所需要求。經過多年的努力,光纖激光的工作者們,極大優化了光纖的處理工藝,目前利用商用的光纖處理設備,可以得到非常低的熔接損耗,被用在模場匹配器、合束器/分束器、輸出端帽等多種器件。

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光纖處理設備       石英與氟化物光纖熔接       AlF3光纖端帽

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氟化物光纖合束器       硫化物光纖合束器            鹵化物光纖跳線

2019年,拉瓦爾大學分別在氟化物光纖的端面上制備了不同材料的光纖端帽,有ZrF4、AlF3、GeO2、SiO2、Er:YAG和Al2O3,當使用20 W@3 μm的激光連續測試100小時,實驗中基于氧化物的光纖端帽都通過了測試,但也存在著長時間工作后端帽輸出面溫度上升的問題[15]。為此,科研人員進一步利用磁控濺射法制備一層Si3N4薄膜到光纖端帽上,以Al2O3端帽為例,在封裝了100 nm厚度的Si3N4薄膜后,在同樣的測試條件下連續運轉100小時沒有出現溫度上升的問題

5.       總結

氟化物、硫化物、鹵化物、空心光纖等光纖,從功率、光譜、光纖器件應用等各個方面大大推動了激光的發展,隨著材料及光纖技術的不斷成熟,將會有更多高品質的光纖產品問世,在科研、工業制造、醫療等領域發揮越來越大的作用。


 

參考文獻

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